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金屬鉿期貨怎么開戶 金屬鉿有放射性嗎

2024-04-24
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本文目錄導航:

  • 鉿有毒性嗎?應用在哪些領域
  • 放射性金屬有哪些?
  • 貴金屬開戶條件

鉿有毒性嗎?應用在哪些領域

金屬鉿無毒。 主要應用于電子工業。 不過,有一些鉿的化合物是有一定毒性的(比如HfCl4的LD50是2362 mg/kg,屬于毒性很低的物質)。 鉿,金屬Hf,原子序數72,原子量178.49,是一種帶光澤的銀灰色的過渡金屬。 鉿有6種天然穩定同位素:鉿174、176、177、178、179、180。 鉿不與稀鹽酸、稀硫酸和強堿溶液作用,但可溶于氫氟酸和王水。 元素名來源于哥本哈根城的拉丁文名稱。 1925年瑞典化學家赫維西和荷蘭物理學家科斯特用含氟絡鹽分級結晶的方法得到純的鉿鹽,并用金屬鈉還原,得到純的金屬鉿。 鉿在地殼中的含量為0.%,在自然界中常與鋯伴生。 鉿的化學性質與鋯十分相似,具有良好的抗腐蝕性能,不易受一般酸堿水溶液的侵蝕;易溶于氫氟酸而形成氟合配合物。 高溫下,鉿也可以與氧、氮等氣體直接化合,形成氧化物和氮化物。 鉿在化合物中常呈 +4價。 主要的化合物是氧化鉿HfO2。 氧化鉿有三種不同的變體:將鉿的硫酸鹽和氯氧化物持續煅燒所得的氧化鉿是單斜變體;在400℃左右加熱鉿的氫氧化物所得的氧化鉿是四方變體;若在1000℃以上煅燒,可得立方變體。 另一個化合物是四氯化鉿,它是制備金屬鉿的原料,可由氯氣作用于氧化鉿和碳的混合物制取。 四氯化鉿與水接觸,立即水解成十分穩定的HfO(4H2O)2+離子。 HfO2+離子存在于鉿的許多化合物中,在鹽酸酸化的四氯化鉿溶液中可結晶出針狀的水合氯氧化鉿HfOCl2·8H2O晶體。 4價鉿還容易與氟化物形成組成為 K2HfF6、K3HfF7、(NH4)2HfF6、(NH4)3HfF7的配合物。 這些配合物曾用于鋯、鉿分離。 常見化合物二氧化鉿:名稱 二氧化鉿;hafnium dioxide;分子式:HfO2 ;性質:白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結構。 密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。 熔點2780~2920K。 沸點5400K。 熱膨脹系數5.8×10-6/℃。 不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。 由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。 為生產金屬鉿和鉿合金的原料。 用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。 原子能級HfO是制造原子能級ZrO時同時得到的產品。 從二次氯化起,提純﹑還原﹑真空蒸餾等過程同鋯的工藝流程幾乎完全一樣。 四氯化鉿:四氯化鉿(Hafnium(IV)chloride,Hafnium tetrachloride) 分子式 HfCl4 分子量 320.30 CAS編號-05-3, 性狀: 白色結晶塊。 對濕敏感。 溶于丙酮和甲醇。 遇水水解生成氯化氧鉿(HfOCl2)。 熱至250℃揮發。 對眼睛、呼吸系統、皮膚有刺激性。 氫氧化鉿:氫氧化鉿(Hafnium Hydroxide,H4HfO4),CAS號-05-3,氫氧化鉿通常以水合氧化物HfO2·nH2O存在,難溶于水,易溶于無機酸,不溶于氨水,很少溶于氫氧化鈉。 加熱至100℃,生成羥基氧化鉿HfO(OH)2。 可由鉿(IV)鹽與氨水反應得到白色氫氧化鉿沉淀。 可用于制取其他鉿化合物。 應用:由于鉿容易發射電子而很有用處(如用作白熾燈的燈絲)。 用作X射線管的陰極,鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。 常用作X射線的陰極和鎢絲制造工業。 純鉿具有可塑性、易加工、耐高溫抗腐蝕,是原子能工業重要材料。 鉿的熱中子捕獲截面大,是較理想的中子吸收體,可作原子反應堆的控制棒和保護裝置。 鉿粉可作火箭的推進器。 在電器工業上可制造X射線管的陰極。 鉿的合金可作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的飛行器的前沿保護層,Hf-Ta合金可制造工具鋼及電阻材料。 在耐熱合金中鉿用作添加元素,例如鎢、鉬、鉭的合金中有的添加鉿。 HfC由于硬度和熔點高,可作硬質合金添加劑。 4TaCHfC的熔點約為4215℃,為已知的熔點最高的化合物。 鉿可作為很多充氣系統的吸氣劑。 鉿吸氣劑可除去系統中存在的氧、氮等不需要氣體。 鉿常作為液壓油的一種添加劑,防止在高危作業時候液壓油的揮發,具有很強的抗揮發性,這個特性的話,所以一般用于工業液壓油。 醫學液壓油。 鉿元素也用于最新的intel45納米處理器。 由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能減少厚度以持續改善晶體管效能,處理器廠商均采用二氧化硅做為制作柵極電介質的材料。 當英特爾導入65納米制造工藝時,雖已全力將二氧化硅柵極電介質厚度降低至1.2納米,相當于5層原子,但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時,耗電和散熱難度亦會同時增加,產生電流浪費和不必要的熱能,因此若繼續采用時下材料,進一步減少厚度,柵極電介質的漏電情況勢將會明顯攀升,令縮小晶體管技術遭遇極限。 為解決此關鍵問題,英特爾正規劃改用較厚的高K材料(鉿元素為基礎的物質)作為柵極電介質,取代二氧化硅,此舉也成功使漏電量降低10倍以上。 另與上一代65納米技術相較,英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍,得以增加處理器的晶體管總數或縮小處理器體積,此外,晶體管開關動作所需電力更低,耗電量減少近30%,內部連接線 (interconnects) 采用銅線搭配低k電介質,順利提升效能并降低耗電量,開關動作速度約加快 20%。

放射性金屬有哪些?

十大放射性金屬有:釙(pō) Po、氡 Rn、鈁(fāng)Fr、鐳Ra、錒(ā)Ac、釷(tǔ)Th、鏷(pú)Pa、鈾(yóu)U、镎(ná)Np、钚(bù)Pu。

以上屬于天然放射性元素,最初從自然界發現的放射性元素。

放射性元素包括天然放射性元素和人工合成放射性元素。

下附,人工合成放射性元素,供參考。有:锝(Tc)、钷(Pm)、砹(At)、镎(Np)、钚(Pu)、镅(Am)、鋦(Cm)、锫(Bk)、锎(Cf)、锿(Es)、鐨(Fm)、鍆(Md)、锘(No)、鐒(Lr)、钅盧(Rf)、钅杜(Db)、钅喜(Es)、钅波(Bh)、钅黑(Hs)、钅麥(Mt)和110、111、112號元素。

相關說明

放射性金屬可以放射出人眼看不見的射線,對人體造成的嚴重危害。

在大劑量的射線照射下,放射性對人體和動物存在著某種損害作用。如在400rad的照射下,受照射的人有5%死亡;若照射650rad,則人100%死亡。照射劑量在150rad以下,死亡率為零,但并非無損害作用,住往需經20年以后,一些癥狀才會表現出來。放射性也能損傷遺傳物質,主要在于引起基因突變和染色體畸變,使一代甚至幾代受害。

放射性物質具有α、β、γ三種衰變形式。三種衰變的特性不同,對人體危害程度各異。其中以α射線的內照射危害最大,因為它的射程短,一張紙就可以阻擋住。可集中在人體小范圍內進行強烈的內照射,使小范圍的肌體組織承受高度集中的輻射能而造成損傷。如在呼吸道器官中的α粒子的射程正好可以轟擊到支氣管上皮基底細胞核上,而造成嚴重的呼吸道疾病,乃至肺癌。

以上內容參考:網絡百科-放射性金屬

貴金屬開戶條件

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